Muisti | Integroidut piirit (IC) | 3

THGAF8T1T83BAIR

osa: 1029

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8),

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T0T43BAIR

osa: 163

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTA20

osa: 2067

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G9T43BAIR

osa: 113

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR

osa: 3103

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTAK0

osa: 618

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C2LBAIL

osa: 689

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G8T23BAIL

osa: 353

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTAK0

osa: 8052

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 16Gb (2G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

osa: 4752

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 16Gb (2G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR

osa: 2327

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR

osa: 4451

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG

osa: 1222

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HQAIE

osa: 1601

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HQAIE

osa: 1534

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

osa: 1591

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL

osa: 6485

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0FTA20

osa: 4065

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 16Gb (2G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG3S0HBAI6

osa: 9512

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTAI0

osa: 686

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HBAI4

osa: 1370

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETAI0

osa: 8211

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

osa: 6211

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0FTA00

osa: 9423

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETA00

osa: 8245

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL

osa: 8087

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0

osa: 1148

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTA00

osa: 3722

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6

osa: 3593

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTA00

osa: 923

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAIL

osa: 777

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 52MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HBAI4

osa: 8683

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI4

osa: 1345

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG2S3HBAI4

osa: 1400

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG2S0HRAIG

osa: 5315

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG1S3HRAIG

osa: 1907

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista