Muisti | Integroidut piirit (IC) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

osa: 1439

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

osa: 1919

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

osa: 8902

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

osa: 1435

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

osa: 1393

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

osa: 16444

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

osa: 566

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

osa: 17237

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTA00

osa: 14392

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4

osa: 1415

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

osa: 17248

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HRAIG

osa: 7253

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI4

osa: 1370

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HRAIG

osa: 3118

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

osa: 8884

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTA00

osa: 14305

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTA00

osa: 17220

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTAI0

osa: 7000

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

osa: 14306

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTAI0

osa: 14321

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

osa: 17235

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTA00

osa: 1523

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI4

osa: 1411

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI4

osa: 24524

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTA00

osa: 669

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTAI0

osa: 577

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

osa: 25500

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

osa: 25447

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

osa: 2239

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI6

osa: 25501

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTAI0

osa: 24548

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HRAIG

osa: 1485

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTAI0

osa: 2401

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI6

osa: 33228

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTAI0

osa: 31571

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

osa: 33224

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista