Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
PN2222ARLRAG
ON Semiconductor

PN2222ARLRAG

osa: 6094

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
FJAF6810ATU
ON Semiconductor

FJAF6810ATU

osa: 6140

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Toivomuslista
MPS2222ARLRMG
ON Semiconductor

MPS2222ARLRMG

osa: 6379

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
TIP117G
ON Semiconductor

TIP117G

osa: 106186

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
FJD3305H1TM
ON Semiconductor

FJD3305H1TM

osa: 171441

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
TIP112TU
ON Semiconductor

TIP112TU

osa: 99005

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
MPSA55_D75Z
ON Semiconductor

MPSA55_D75Z

osa: 6483

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
NJVMJD243T4G
ON Semiconductor

NJVMJD243T4G

osa: 164029

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Toivomuslista
KSC2334R
ON Semiconductor

KSC2334R

osa: 6142

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
FJL6825ATU
ON Semiconductor

FJL6825ATU

osa: 6178

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V,

Toivomuslista
MPS750RLRPG
ON Semiconductor

MPS750RLRPG

osa: 6436

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
MJL0281A
ON Semiconductor

MJL0281A

osa: 6414

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 260V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
MPS2907ARLRMG
ON Semiconductor

MPS2907ARLRMG

osa: 6397

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
KSC3552NTU
ON Semiconductor

KSC3552NTU

osa: 6105

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 800mA, 5V,

Toivomuslista
MCH3205-TL-E
ON Semiconductor

MCH3205-TL-E

osa: 186361

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
TIP131
ON Semiconductor

TIP131

osa: 6427

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
MPS3646RLRA
ON Semiconductor

MPS3646RLRA

osa: 6404

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Toivomuslista
MJW21191
ON Semiconductor

MJW21191

osa: 6391

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Toivomuslista
FJPF5200OTU
ON Semiconductor

FJPF5200OTU

osa: 6421

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Toivomuslista
MPS2369RLRA
ON Semiconductor

MPS2369RLRA

osa: 6417

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 400nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
MPS6562_D74Z
ON Semiconductor

MPS6562_D74Z

osa: 6474

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista
KSB1022TU
ON Semiconductor

KSB1022TU

osa: 6138

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
TIP146TU
ON Semiconductor

TIP146TU

osa: 6132

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Toivomuslista
PN4258
ON Semiconductor

PN4258

osa: 6143

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 3V,

Toivomuslista
KSC5603D
ON Semiconductor

KSC5603D

osa: 6104

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V,

Toivomuslista
KSH210TM
ON Semiconductor

KSH210TM

osa: 120951

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Toivomuslista
MMBT4403LT1G
ON Semiconductor

MMBT4403LT1G

osa: 144664

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
P2N2907ARL1
ON Semiconductor

P2N2907ARL1

osa: 6424

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
MSC2712YT1G
ON Semiconductor

MSC2712YT1G

osa: 6480

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista
MPSA42_D74Z
ON Semiconductor

MPSA42_D74Z

osa: 6503

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
FJA4313RTU
ON Semiconductor

FJA4313RTU

osa: 40778

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

Toivomuslista
NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor

NJVMJD3055T4G

osa: 179518

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
TIP131G
ON Semiconductor

TIP131G

osa: 6478

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
KSC5047TU
ON Semiconductor

KSC5047TU

osa: 6089

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 120mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
MJE340STU
ON Semiconductor

MJE340STU

osa: 155895

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista
MPS3703_D74Z
ON Semiconductor

MPS3703_D74Z

osa: 6544

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

Toivomuslista