Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
MJL21194G
ON Semiconductor

MJL21194G

osa: 14687

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Toivomuslista
MJD127G
ON Semiconductor

MJD127G

osa: 114431

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
NSS20601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS20601CF8T1G

osa: 122715

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
TIP126TU
ON Semiconductor

TIP126TU

osa: 182284

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
MJE4343G
ON Semiconductor

MJE4343G

osa: 21542

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 750µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V,

Toivomuslista
NJW1302G
ON Semiconductor

NJW1302G

osa: 27844

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
MJL21193G
ON Semiconductor

MJL21193G

osa: 14638

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Toivomuslista
KSC2333YTU
ON Semiconductor

KSC2333YTU

osa: 194098

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
FJA4313OTU
ON Semiconductor

FJA4313OTU

osa: 36806

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V,

Toivomuslista
TIP147FTU
ON Semiconductor

TIP147FTU

osa: 39662

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Toivomuslista
TIP36AG
ON Semiconductor

TIP36AG

osa: 29324

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Toivomuslista
NZT902
ON Semiconductor

NZT902

osa: 146710

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 90V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor

NSVMSD42WT1G

osa: 173136

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
MJL21195G
ON Semiconductor

MJL21195G

osa: 15487

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Toivomuslista
TIP41CTU
ON Semiconductor

TIP41CTU

osa: 116243

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MJF47G
ON Semiconductor

MJF47G

osa: 53548

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
FJPF13007H2TU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TU

osa: 81424

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
MJD31C1G
ON Semiconductor

MJD31C1G

osa: 166512

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
NJVMJD31CG
ON Semiconductor

NJVMJD31CG

osa: 108113

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MJ15022G
ON Semiconductor

MJ15022G

osa: 12606

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

Toivomuslista
KSE13003TH1ATU
ON Semiconductor

KSE13003TH1ATU

osa: 191464

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
SMMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT3G

osa: 107789

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
MJD243G
ON Semiconductor

MJD243G

osa: 89361

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Toivomuslista
MJL4281AG
ON Semiconductor

MJL4281AG

osa: 11732

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
MJ21196G
ON Semiconductor

MJ21196G

osa: 17431

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Toivomuslista
TIP111TU
ON Semiconductor

TIP111TU

osa: 180188

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
MJ15015G
ON Semiconductor

MJ15015G

osa: 12020

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

Toivomuslista
MJL1302AG
ON Semiconductor

MJL1302AG

osa: 20570

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 260V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
KSD1588YTU
ON Semiconductor

KSD1588YTU

osa: 74035

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
KSB834WYTM
ON Semiconductor

KSB834WYTM

osa: 151038

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
NJVNJD35N04G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04G

osa: 183335

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
TIP47G
ON Semiconductor

TIP47G

osa: 109297

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
NJW0281G
ON Semiconductor

NJW0281G

osa: 27913

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
MJE2955TG
ON Semiconductor

MJE2955TG

osa: 79642

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
MJ4502G
ON Semiconductor

MJ4502G

osa: 17217

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

Toivomuslista
TIP30CG
ON Semiconductor

TIP30CG

osa: 128525

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Toivomuslista