Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
FJL4315OTU
ON Semiconductor

FJL4315OTU

osa: 25981

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Toivomuslista
TIP100G
ON Semiconductor

TIP100G

osa: 87227

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MJE2955TTU
ON Semiconductor

MJE2955TTU

osa: 96394

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
FJA4310OTU
ON Semiconductor

FJA4310OTU

osa: 38358

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
TIP41BG
ON Semiconductor

TIP41BG

osa: 110979

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
KSP43BU
ON Semiconductor

KSP43BU

osa: 103705

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
FJP13007H2TU
ON Semiconductor

FJP13007H2TU

osa: 92748

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
MJE171G
ON Semiconductor

MJE171G

osa: 128514

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
KSB772YS
ON Semiconductor

KSB772YS

osa: 174395

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
D44H11TU
ON Semiconductor

D44H11TU

osa: 96370

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Toivomuslista
SFT1202-E
ON Semiconductor

SFT1202-E

osa: 172458

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
NSM6056MT1G
ON Semiconductor

NSM6056MT1G

osa: 143978

Transistorin tyyppi: NPN + Zener Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Toivomuslista
SPZT2907AT1G
ON Semiconductor

SPZT2907AT1G

osa: 128414

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
KSD526Y
ON Semiconductor

KSD526Y

osa: 130553

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 30µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
FJE3303H1TU
ON Semiconductor

FJE3303H1TU

osa: 155822

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
TIP116G
ON Semiconductor

TIP116G

osa: 109693

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
SNSS30201MR6T1G
ON Semiconductor

SNSS30201MR6T1G

osa: 159467

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
KSD880YTU
ON Semiconductor

KSD880YTU

osa: 99040

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
NJVBUB323ZT4G
ON Semiconductor

NJVBUB323ZT4G

osa: 40265

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Toivomuslista
SMMBT2222AWT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222AWT1G

osa: 148242

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
KSE13003H1ASTU
ON Semiconductor

KSE13003H1ASTU

osa: 116288

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
KSA1220AYS
ON Semiconductor

KSA1220AYS

osa: 140905

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V,

Toivomuslista
MJE3055TTU
ON Semiconductor

MJE3055TTU

osa: 104628

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
TIP42G
ON Semiconductor

TIP42G

osa: 116291

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MJL4302AG
ON Semiconductor

MJL4302AG

osa: 11791

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
MJE5852G
ON Semiconductor

MJE5852G

osa: 25647

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
TIP48G
ON Semiconductor

TIP48G

osa: 104688

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
FJPF5021OTU
ON Semiconductor

FJPF5021OTU

osa: 77966

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Toivomuslista
NJL0302DG
ON Semiconductor

NJL0302DG

osa: 814

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 260V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
NST489AMT1G
ON Semiconductor

NST489AMT1G

osa: 174046

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
TIP141G
ON Semiconductor

TIP141G

osa: 40316

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Toivomuslista
MJD32CG
ON Semiconductor

MJD32CG

osa: 155811

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
FJPF5027OTU
ON Semiconductor

FJPF5027OTU

osa: 69809

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V,

Toivomuslista
KSC5338DTU
ON Semiconductor

KSC5338DTU

osa: 154306

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

Toivomuslista
MJ11015G
ON Semiconductor

MJ11015G

osa: 16881

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V,

Toivomuslista
MSD42SWT1G
ON Semiconductor

MSD42SWT1G

osa: 157970

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Toivomuslista