Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
BD534K
ON Semiconductor

BD534K

osa: 5744

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD534J
ON Semiconductor

BD534J

osa: 6605

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD244ATU
ON Semiconductor

BD244ATU

osa: 5776

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
BD244TU
ON Semiconductor

BD244TU

osa: 5776

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
BD242ATU
ON Semiconductor

BD242ATU

osa: 5750

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
BD242TU
ON Semiconductor

BD242TU

osa: 6609

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
BC516_L34Z
ON Semiconductor

BC516_L34Z

osa: 5801

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

Toivomuslista
BC516_D75Z
ON Semiconductor

BC516_D75Z

osa: 5747

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

Toivomuslista
BC516
ON Semiconductor

BC516

osa: 5738

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

Toivomuslista
BDX34BTSTU
ON Semiconductor

BDX34BTSTU

osa: 5782

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
BU807TU
ON Semiconductor

BU807TU

osa: 5716

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA,

Toivomuslista
BD13810S
ON Semiconductor

BD13810S

osa: 6654

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BUT12TU
ON Semiconductor

BUT12TU

osa: 5739

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA,

Toivomuslista
BUT11TU
ON Semiconductor

BUT11TU

osa: 154962

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA,

Toivomuslista
BUT12ATU
ON Semiconductor

BUT12ATU

osa: 5785

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA,

Toivomuslista
BU407HTU
ON Semiconductor

BU407HTU

osa: 5752

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA,

Toivomuslista
BDX54TU
ON Semiconductor

BDX54TU

osa: 5769

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
BDX54ATU
ON Semiconductor

BDX54ATU

osa: 6669

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
BDX53TU
ON Semiconductor

BDX53TU

osa: 5808

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista
BD787G
ON Semiconductor

BD787G

osa: 122144

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

Toivomuslista
BDW24CTU
ON Semiconductor

BDW24CTU

osa: 5753

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BDW24BTU
ON Semiconductor

BDW24BTU

osa: 5727

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BDW23CTU
ON Semiconductor

BDW23CTU

osa: 5779

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BDW23BTU
ON Semiconductor

BDW23BTU

osa: 5798

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BD537KTU
ON Semiconductor

BD537KTU

osa: 5802

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD537J
ON Semiconductor

BD537J

osa: 5729

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD37925STU
ON Semiconductor

BD37925STU

osa: 6619

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD3796STU
ON Semiconductor

BD3796STU

osa: 6616

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37910STU
ON Semiconductor

BD37910STU

osa: 5725

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37916STU
ON Semiconductor

BD37916STU

osa: 5725

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD3776STU
ON Semiconductor

BD3776STU

osa: 5730

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37725STU
ON Semiconductor

BD37725STU

osa: 5764

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37716STU
ON Semiconductor

BD37716STU

osa: 5717

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37710STU
ON Semiconductor

BD37710STU

osa: 5739

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD3756STU
ON Semiconductor

BD3756STU

osa: 5782

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BD37525STU
ON Semiconductor

BD37525STU

osa: 5730

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista