Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
BCV26_L99Z
ON Semiconductor

BCV26_L99Z

osa: 5767

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
BC858AMTF
ON Semiconductor

BC858AMTF

osa: 5753

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC560BU
ON Semiconductor

BC560BU

osa: 5758

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC636BU
ON Semiconductor

BC636BU

osa: 5803

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista
BC558TF
ON Semiconductor

BC558TF

osa: 5728

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC559BU
ON Semiconductor

BC559BU

osa: 5734

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC558BU
ON Semiconductor

BC558BU

osa: 6639

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC558TA
ON Semiconductor

BC558TA

osa: 5737

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC557TA
ON Semiconductor

BC557TA

osa: 6636

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC557TF
ON Semiconductor

BC557TF

osa: 5762

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC556TF
ON Semiconductor

BC556TF

osa: 5782

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC328TF
ON Semiconductor

BC328TF

osa: 5806

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC556BU
ON Semiconductor

BC556BU

osa: 6650

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC328TA
ON Semiconductor

BC328TA

osa: 5815

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC328BU
ON Semiconductor

BC328BU

osa: 5763

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC327TF
ON Semiconductor

BC327TF

osa: 5729

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC327TFR
ON Semiconductor

BC327TFR

osa: 5754

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC327TAR
ON Semiconductor

BC327TAR

osa: 5793

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC327TA
ON Semiconductor

BC327TA

osa: 5805

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
BC308CBU
ON Semiconductor

BC308CBU

osa: 5782

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308TA
ON Semiconductor

BC308TA

osa: 5738

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308BTA
ON Semiconductor

BC308BTA

osa: 6651

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308BU
ON Semiconductor

BC308BU

osa: 5722

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308BBU
ON Semiconductor

BC308BBU

osa: 5726

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308ATF
ON Semiconductor

BC308ATF

osa: 6577

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC308ATA
ON Semiconductor

BC308ATA

osa: 5815

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC307CBU
ON Semiconductor

BC307CBU

osa: 5789

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC307ATA
ON Semiconductor

BC307ATA

osa: 5800

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC307BU
ON Semiconductor

BC307BU

osa: 5804

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC307ABU
ON Semiconductor

BC307ABU

osa: 5756

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BDW94
ON Semiconductor

BDW94

osa: 5719

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Toivomuslista
BDW24ATU
ON Semiconductor

BDW24ATU

osa: 5758

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BDW24TU
ON Semiconductor

BDW24TU

osa: 5799

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
BD538J
ON Semiconductor

BD538J

osa: 5775

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD536J
ON Semiconductor

BD536J

osa: 5728

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
BD534KTU
ON Semiconductor

BD534KTU

osa: 5749

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Toivomuslista