Muisti

N01S830BAT22I

osa: 18602

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

LE25FV411GA-AE

osa: 19843

CAT25M02VI-GT3

osa: 22759

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 6ms,

CAT25M01VI-GT3

osa: 32187

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N01S830BAT22IT

osa: 27122

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

CAT25M01XI-T2

osa: 24721

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N01S818HAT22IT

osa: 27071

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

CAT25M01YI-GT3

osa: 32148

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAV24M01WE-GT3

osa: 28153

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAV24M01YE-GT3

osa: 28176

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N01S830HAT22IT

osa: 27066

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

CAV25512HU5E-GT3

osa: 37875

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAV25512YE-GT3

osa: 37004

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAT24M01HU5I-GT3

osa: 52298

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N25S818HAT21I

osa: 51900

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 16MHz,

CAV25512VE-GT3

osa: 36950

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N25S830HAT22I

osa: 40986

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

N64S830HAT22I

osa: 70329

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

CAT24M01XI-T2

osa: 51995

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAV24C512WE-GT3

osa: 55202

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N64S830HAS22I

osa: 54325

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

CAT24M01YI-GT3JN

osa: 48063

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAT25512HU5I-GT3

osa: 56056

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAV24C512YE-GT3

osa: 55172

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N25S818HAS21I

osa: 51987

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 16MHz,

CAT24C512WI-G

osa: 57821

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

N25S830HAS22I

osa: 40967

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 20MHz,

LE25W48AMC-AH

osa: 82823

LE25S81AFDTWG

osa: 103353

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 70MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 500µs,

CAT24C256YI-G

osa: 101711

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

CAT25320HU4I-GT3

osa: 122867

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 32Kb (4K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

LE25U40CQH-AH

osa: 141872

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

LE25S80FDTWG

osa: 92569

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

CAT25128VP2I-GT3

osa: 137699

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

LE25U81AFDTWG

osa: 137235

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 500µs,

CAT25128XI-T2

osa: 133479

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,