Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,
