Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit
MC1413DR2
ON Semiconductor

MC1413DR2

osa: 4396

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista
UMZ1NT1G
ON Semiconductor

UMZ1NT1G

osa: 108993

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista
NSVT3906DXV6T1G
ON Semiconductor

NSVT3906DXV6T1G

osa: 151622

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
MBT3904DW2T1G
ON Semiconductor

MBT3904DW2T1G

osa: 4435

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor

NSVT65011MW6T1G

osa: 147100

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
CPH6539-TL-H
ON Semiconductor

CPH6539-TL-H

osa: 157612

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 750mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor

NSVT65010MW6T1G

osa: 171628

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
EMT1DXV6T5
ON Semiconductor

EMT1DXV6T5

osa: 4423

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
MBT3904DW1T3G
ON Semiconductor

MBT3904DW1T3G

osa: 132584

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor

NST3904DP6T5G

osa: 189012

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
SBC847BDW1T3G
ON Semiconductor

SBC847BDW1T3G

osa: 124858

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
MCH6545-TL-E
ON Semiconductor

MCH6545-TL-E

osa: 114896

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista
NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor

NST3946DXV6T1G

osa: 193638

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
NSVBC847BDW1T2G
ON Semiconductor

NSVBC847BDW1T2G

osa: 174951

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
SCH2202-TL-E
ON Semiconductor

SCH2202-TL-E

osa: 4450

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista
NSS40301MDR2G
ON Semiconductor

NSS40301MDR2G

osa: 190503

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
MMPQ2907
ON Semiconductor

MMPQ2907

osa: 4407

Transistorin tyyppi: 4 PNP (Quad), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor

NST857BDP6T5G

osa: 139482

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
MCH6541-TL-E
ON Semiconductor

MCH6541-TL-E

osa: 104596

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V / 200 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista
NSS40302PDR2G
ON Semiconductor

NSS40302PDR2G

osa: 139476

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
MCH6534-TL-E
ON Semiconductor

MCH6534-TL-E

osa: 159503

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista
FMBA06
ON Semiconductor

FMBA06

osa: 107475

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
SMBT3946DW1T1G
ON Semiconductor

SMBT3946DW1T1G

osa: 189605

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
EMX1DXV6T5G
ON Semiconductor

EMX1DXV6T5G

osa: 154108

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
MC1413DR2G
ON Semiconductor

MC1413DR2G

osa: 133189

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista
MC1413PG
ON Semiconductor

MC1413PG

osa: 128529

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista
MMPQ2907A
ON Semiconductor

MMPQ2907A

osa: 96889

Transistorin tyyppi: 4 PNP (Quad), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
SNST3904DXV6T5G
ON Semiconductor

SNST3904DXV6T5G

osa: 106304

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
MC1413BDR2G
ON Semiconductor

MC1413BDR2G

osa: 196431

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista
MMPQ6700
ON Semiconductor

MMPQ6700

osa: 81112

Transistorin tyyppi: 2 NPN, 2 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
FFB2907A_D87Z
ON Semiconductor

FFB2907A_D87Z

osa: 4446

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
MC1413BDG
ON Semiconductor

MC1413BDG

osa: 138205

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista
FFB3946
ON Semiconductor

FFB3946

osa: 125594

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
SBC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

SBC847BPDXV6T1G

osa: 103497

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor

SBC846BDW1T1G

osa: 163502

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
NSS60101DMTTBG
ON Semiconductor

NSS60101DMTTBG

osa: 122699

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista