Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit
2SA1708T-YMH-AN
ON Semiconductor

2SA1708T-YMH-AN

osa: 4488

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1G

osa: 121168

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847CDXV6T1H
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1H

osa: 122457

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1G

osa: 160959

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1G

osa: 115909

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847S
ON Semiconductor

BC847S

osa: 147700

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1

osa: 4563

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BS
ON Semiconductor

BC847BS

osa: 182235

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC858CDW1T1G
ON Semiconductor

BC858CDW1T1G

osa: 6498

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC858CDW1T1
ON Semiconductor

BC858CDW1T1

osa: 4499

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC857CDW1T1
ON Semiconductor

BC857CDW1T1

osa: 4423

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC856BDW1T1
ON Semiconductor

BC856BDW1T1

osa: 4478

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CPDW1T1
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1

osa: 4434

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T1G

osa: 4467

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T5G

osa: 6445

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5G

osa: 4404

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5G

osa: 4440

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5G

osa: 4426

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5

osa: 4475

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5

osa: 4393

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5

osa: 4433

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC857S
ON Semiconductor

BC857S

osa: 117373

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor

BC856BDW1T3G

osa: 135230

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC848CDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CDW1T1G

osa: 175357

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847CDW1T1G
ON Semiconductor

BC847CDW1T1G

osa: 117917

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC856BDW1T1G
ON Semiconductor

BC856BDW1T1G

osa: 175380

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T1G

osa: 168041

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T2G

osa: 149592

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor

BC857CDW1T1G

osa: 185143

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BPDW1T1G

osa: 165331

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T3G

osa: 123526

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BDW1T3G

osa: 102627

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BDW1T1G

osa: 161746

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G

osa: 144465

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC857BDW1T1G
ON Semiconductor

BC857BDW1T1G

osa: 194751

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista
BC846BDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BDW1T1G

osa: 189374

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista