Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
FDMA507PZ
ON Semiconductor

FDMA507PZ

osa: 134008

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 5V,

Toivomuslista
PCP1403-TD-H
ON Semiconductor

PCP1403-TD-H

osa: 163577

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 2A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4C027NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C027NT1G

osa: 180980

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
FDB060AN08A0
ON Semiconductor

FDB060AN08A0

osa: 38619

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
FDN304P
ON Semiconductor

FDN304P

osa: 114921

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Toivomuslista
FDMC7582
ON Semiconductor

FDMC7582

osa: 148649

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Ta), 49A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16.7A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4C10NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NBT1G

osa: 134535

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 46A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
FDB86366-F085
ON Semiconductor

FDB86366-F085

osa: 102

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4H02NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H02NFT3G

osa: 35952

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 193A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4C028NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C028NT3G

osa: 151229

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.73 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
FDMS8050
ON Semiconductor

FDMS8050

osa: 47050

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista
FDI150N10
ON Semiconductor

FDI150N10

osa: 63618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 49A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4C022NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C022NT3G

osa: 196299

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 136A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
FDP2D3N10C
ON Semiconductor

FDP2D3N10C

osa: 193

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 222A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
FDB9403-F085
ON Semiconductor

FDB9403-F085

osa: 147

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
FDD2670
ON Semiconductor

FDD2670

osa: 73724

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.6A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor

NTMFS10N7D2C

osa: 184

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 28A, 10V,

Toivomuslista
NTMS5P02R2G
ON Semiconductor

NTMS5P02R2G

osa: 116382

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Toivomuslista
FDMC86260ET150
ON Semiconductor

FDMC86260ET150

osa: 65322

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), 25A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V,

Toivomuslista
FDMT80040DC
ON Semiconductor

FDMT80040DC

osa: 28635

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 420A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.56 mOhm @ 64A, 10V,

Toivomuslista
MCH3486-TL-W
ON Semiconductor

MCH3486-TL-W

osa: 195800

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
FDD770N15A
ON Semiconductor

FDD770N15A

osa: 159091

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista
FDD86569-F085
ON Semiconductor

FDD86569-F085

osa: 197

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS5C612NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C612NLT1G

osa: 47447

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 235A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
FDD4243
ON Semiconductor

FDD4243

osa: 193996

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), 14A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C08NAT1G

osa: 193933

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
FDD24AN06LA0-F085
ON Semiconductor

FDD24AN06LA0-F085

osa: 183

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista
FDMC7664
ON Semiconductor

FDMC7664

osa: 137917

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18.8A (Ta), 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18.8A, 10V,

Toivomuslista
NTMFS5C460NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C460NLT1G

osa: 158556

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 35A, 10V,

Toivomuslista
NDS9407
ON Semiconductor

NDS9407

osa: 167085

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista
FDP4D5N10C
ON Semiconductor

FDP4D5N10C

osa: 200

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 128A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
FDMC8296
ON Semiconductor

FDMC8296

osa: 103466

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 18A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista
FDC5614P
ON Semiconductor

FDC5614P

osa: 123066

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista
NTGS3130NT1G
ON Semiconductor

NTGS3130NT1G

osa: 174628

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.23A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Toivomuslista
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NBT1G

osa: 133550

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V,

Toivomuslista
NTMFS4C05NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C05NT3G

osa: 115799

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista