Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
HUF76439S3ST
ON Semiconductor

HUF76439S3ST

osa: 52379

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Toivomuslista
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor

FDB045AN08A0-F085

osa: 64

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
NTD4904NT4G
ON Semiconductor

NTD4904NT4G

osa: 178458

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 79A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
NTD24N06T4G
ON Semiconductor

NTD24N06T4G

osa: 183950

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
FDP7N60NZ
ON Semiconductor

FDP7N60NZ

osa: 89755

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

Toivomuslista
FDD86110
ON Semiconductor

FDD86110

osa: 65814

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

Toivomuslista
FDP150N10A-F102
ON Semiconductor

FDP150N10A-F102

osa: 88

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
FQP6N80C
ON Semiconductor

FQP6N80C

osa: 89271

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

Toivomuslista
NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor

NTLUS4C12NTAG

osa: 154063

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

Toivomuslista
NVD5C460NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

osa: 129

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 73A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
FDD6680AS
ON Semiconductor

FDD6680AS

osa: 165412

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Toivomuslista
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor

CPH3350-TL-W

osa: 144634

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
FDD3690
ON Semiconductor

FDD3690

osa: 118201

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V,

Toivomuslista
FQB11N40CTM
ON Semiconductor

FQB11N40CTM

osa: 83287

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

Toivomuslista
ECH8309-TL-H
ON Semiconductor

ECH8309-TL-H

osa: 156152

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Toivomuslista
FDMC2674
ON Semiconductor

FDMC2674

osa: 113572

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 220V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
FDMS7672AS
ON Semiconductor

FDMS7672AS

osa: 155908

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT1G

osa: 72

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor

NVATS68301PZT4G

osa: 118

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 14A, 10V,

Toivomuslista
MCH3375-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3375-TL-W-Z

osa: 110864

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
FQD7N10LTM
ON Semiconductor

FQD7N10LTM

osa: 145414

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

Toivomuslista
FDD8445
ON Semiconductor

FDD8445

osa: 134304

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
FQD2N60CTM
ON Semiconductor

FQD2N60CTM

osa: 190174

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Toivomuslista
NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A108PLZT4G

osa: 84654

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 77A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

Toivomuslista
FDB0630N1507L
ON Semiconductor

FDB0630N1507L

osa: 19651

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
NVE4153NT1G
ON Semiconductor

NVE4153NT1G

osa: 169814

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 915mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Toivomuslista
FDS6298
ON Semiconductor

FDS6298

osa: 134298

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista
NVGS3130NT1G
ON Semiconductor

NVGS3130NT1G

osa: 154395

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Toivomuslista
FDB024N04AL7
ON Semiconductor

FDB024N04AL7

osa: 30642

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
FDS8870
ON Semiconductor

FDS8870

osa: 94656

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
MCH6337-TL-W
ON Semiconductor

MCH6337-TL-W

osa: 104594

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Toivomuslista
FQB8N90CTM
ON Semiconductor

FQB8N90CTM

osa: 48227

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V,

Toivomuslista
NVATS4A102PZT4G
ON Semiconductor

NVATS4A102PZT4G

osa: 163879

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor

FDD1600N10ALZ

osa: 154084

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 3.4A, 10V,

Toivomuslista
FQB4N80TM
ON Semiconductor

FQB4N80TM

osa: 83054

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V,

Toivomuslista
FQT4N25TF
ON Semiconductor

FQT4N25TF

osa: 170007

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 830mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V,

Toivomuslista