IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Dual, Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 275A, Teho - maks: 1136W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Dual, Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Teho - maks: 730W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Teho - maks: 781W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 961W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 961W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,
