Transistorit - IGBT-moduulit

APT75GT120JU3

osa: 2982

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 416W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

APTGL180A120T3AG

osa: 1144

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

APTGL40H120T1G

osa: 1697

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

APTCV50H60T3G

osa: 1553

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTGT300A60D3G

osa: 831

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

APTGLQ100A120TG

osa: 251

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 520W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

APTGT300TL60G

osa: 570

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 935W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

APTGL325A120D3G

osa: 634

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

APTGLQ50VDA65T3G

osa: 314

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

APTGLQ50DDA65T3G

osa: 232

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

APTGT600A60G

osa: 452

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 2300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

APTGT20TL601G

osa: 2340

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Teho - maks: 62W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

APTGT150TA60PG

osa: 689

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

APTGT35A120T1G

osa: 2393

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

APTGT450SK60G

osa: 807

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 550A, Teho - maks: 1750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

APTGT150TL60G

osa: 901

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

APTGT400SK120G

osa: 766

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 560A, Teho - maks: 1785W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

APTGL40X120T3G

osa: 1371

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

APT40GL120JU2

osa: 3667

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

APTGT150DH170G

osa: 707

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

APTGT150DH120G

osa: 790

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

APTGT50TDU170PG

osa: 697

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Triple, Dual - Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

APT35GT120JU2

osa: 3790

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 260W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

APTGT50A170TG

osa: 1356

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 312W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

APTGT100BB60T3G

osa: 1239

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 340W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

APTGT300A120D3G

osa: 570

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 440A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

APTGT200DA60T3AG

osa: 1559

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 290A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

APTGT50TDU60PG

osa: 1071

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Triple, Dual - Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTGT35X120T3G

osa: 1346

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

APTCV60HM45RCT3G

osa: 688

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTGT50DDA60T3G

osa: 2292

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTGT30H60T1G

osa: 2404

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 90W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

APTGT150A120TG

osa: 1048

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

APTGL60H120T3G

osa: 1383

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

APTGT400TL65G

osa: 436

APTGLQ100H65T3G

osa: 293

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 135A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,