Muisti

RC28F256P30T2E

osa: 4035

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR

osa: 754

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (192M x 128), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR

osa: 273

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR

osa: 2221

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR

osa: 10574

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

EDFM432A1PH-GD-F-R TR

osa: 3205

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

MT35XL02GCBA4G12-0SIT TR

osa: 3907

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT41K256M16HA-125 V:E

osa: 8958

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

MT43A4G80200NFH-S15:A

osa: 139

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

osa: 7882

MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR

osa: 7091

MT29F128G08EBEBBWP:B TR

osa: 4735

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR

osa: 1908

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR

osa: 298

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR

osa: 520

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT29F128G08CFAAAWP:A TR

osa: 168

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

RC28F128J3F75G

osa: 8976

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 75ns,

MT49H32M18CFM-25E:B

osa: 8081

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT53B4DBEZ-DC TR

osa: 8161

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

M58BW016FB7D150T TR

osa: 1025

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 16Mb (512K x 32),

MT53B4DCNK-DC TR

osa: 1418

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT28HL32GQBA6EBL-0GCT

osa: 2310

MT41K512M8RG-107:N TR

osa: 9375

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 933MHz,

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

osa: 94

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 8Gb (128M x 64), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F32G08CBADBWP-12:D TR

osa: 6234

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR

osa: 453

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR

osa: 452

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

EDBA232B2PF-1D-F-D

osa: 3221

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR

osa: 4128

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR

osa: 232

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT49H8M36BM-5:B

osa: 928

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (8M x 36), Kellotaajuus: 200MHz,

MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

osa: 435

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Tb (512G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR

osa: 4511

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR

osa: 2265

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR

osa: 1286

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MTFC2GMDEA-0M WT

osa: 11583

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 16Gb (2G x 8),