Muisti

MT48LC16M16A2P-7E IT:D

MT48LC16M16A2P-7E IT:D

osa: 9520

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT46V32M16TG-6T:C TR

MT46V32M16TG-6T:C TR

osa: 6803

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F2G08AACWP:C TR

MT29F2G08AACWP:C TR

osa: 9043

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (256M x 8),

Toivomuslista
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

osa: 8324

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR

osa: 5370

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC32M8A2P-75:D

MT48LC32M8A2P-75:D

osa: 469

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F800B3SG-9 B

MT28F800B3SG-9 B

osa: 3892

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivomuslista
MT28F400B3WG-8 T TR

MT28F400B3WG-8 T TR

osa: 2935

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48V8M32LFF5-8 TR

MT48V8M32LFF5-8 TR

osa: 3806

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V32M8FG-75 L:G TR

MT46V32M8FG-75 L:G TR

osa: 7218

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC4M32B2TG-7:G TR

MT48LC4M32B2TG-7:G TR

osa: 949

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR

MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR

osa: 1735

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

osa: 3031

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F800B3WP-9 T TR

MT28F800B3WP-9 T TR

osa: 4027

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivomuslista
MT29E2T08CUHBBM4-3:B

MT29E2T08CUHBBM4-3:B

osa: 112

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT45W4MW16BFB-856 WT F TR

MT45W4MW16BFB-856 WT F TR

osa: 5029

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

Toivomuslista
MT46V32M16FN-6:C TR

MT46V32M16FN-6:C TR

osa: 6499

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

osa: 127

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 3Tb (384G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT48LC8M8A2P-7E:G

MT48LC8M8A2P-7E:G

osa: 2772

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (8M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT46V32M16P-5B:C TR

MT46V32M16P-5B:C TR

osa: 6700

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F4G08AAAWP:A TR

MT29F4G08AAAWP:A TR

osa: 9005

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

Toivomuslista
MT28F400B5SG-8 TET TR

MT28F400B5SG-8 TET TR

osa: 3342

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT28F320J3FS-11 GMET

MT28F320J3FS-11 GMET

osa: 2488

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Toivomuslista
MT48LC16M4A2TG-7E:G

MT48LC16M4A2TG-7E:G

osa: 9725

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT28F640J3FS-115 GMET

MT28F640J3FS-115 GMET

osa: 3515

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Toivomuslista
MT40A4G8KVA-083H:G TR

MT40A4G8KVA-083H:G TR

osa: 125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

Toivomuslista
MT46V64M8FN-75 IT:D

MT46V64M8FN-75 IT:D

osa: 7859

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F320J3RP-11 ET TR

MT28F320J3RP-11 ET TR

osa: 2638

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Toivomuslista
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR

MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR

osa: 2095

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V64M8TG-75:D

MT46V64M8TG-75:D

osa: 8205

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V16M16TG-75 IT:F

MT46V16M16TG-75 IT:F

osa: 5871

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC4M32LFB5-8:G TR

MT48LC4M32LFB5-8:G TR

osa: 1195

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F004B5VP-8 T

MT28F004B5VP-8 T

osa: 1958

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MTFC256GAOAMAM-WT TR

MTFC256GAOAMAM-WT TR

osa: 68

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8),

Toivomuslista
MT46V16M8P-75:D

MT46V16M8P-75:D

osa: 5895

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V128M8TG-75:A TR

MT46V128M8TG-75:A TR

osa: 5566

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista