Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

VN2460N3-G-P014

VN2460N3-G-P014

osa: 77581

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista
DN2535N3-G-P003

DN2535N3-G-P003

osa: 124618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Toivomuslista
TP2104K1-G

TP2104K1-G

osa: 151643

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
VN0106N3-G-P003

VN0106N3-G-P003

osa: 134159

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
TN0110N3-G-P002

TN0110N3-G-P002

osa: 96862

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
VN2222LL-G-P003

VN2222LL-G-P003

osa: 193763

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
TP0610T-G

TP0610T-G

osa: 134146

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista
MCP87130T-U/LC

MCP87130T-U/LC

osa: 197723

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
VP3203N8-G

VP3203N8-G

osa: 62298

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
MCP87018T-U/MF

MCP87018T-U/MF

osa: 63090

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
MIC94053YC6-TR

MIC94053YC6-TR

osa: 128534

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 6V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista
TN0106N3-G-P013

TN0106N3-G-P013

osa: 112567

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
DN1509K1-G

DN1509K1-G

osa: 160789

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 90V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Toivomuslista
MIC94030YM4-TR

MIC94030YM4-TR

osa: 142413

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 16V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista
VN2460N8-G

VN2460N8-G

osa: 81138

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista
VN0550N3-G-P013

VN0550N3-G-P013

osa: 63426

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

Toivomuslista
VN2222LL-G-P013

VN2222LL-G-P013

osa: 193747

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
MCP87130T-U/MF

MCP87130T-U/MF

osa: 121994

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
DN3765K4-G

DN3765K4-G

osa: 37252

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 0V,

Toivomuslista
VN0606L-G-P003

VN0606L-G-P003

osa: 77502

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 330mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
DN2540N3-G-P003

DN2540N3-G-P003

osa: 118644

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Toivomuslista
DN2450N8-G

DN2450N8-G

osa: 136754

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista
TP2640LG-G

TP2640LG-G

osa: 49827

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
VN3205N3-G-P002

VN3205N3-G-P002

osa: 69774

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista
TP2104N3-G-P003

TP2104N3-G-P003

osa: 139528

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
DN3525N8-G

DN3525N8-G

osa: 138382

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Toivomuslista
VN2410L-G-P013

VN2410L-G-P013

osa: 96918

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 240V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 190mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
TN2510N8-G

TN2510N8-G

osa: 91780

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 730mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Toivomuslista
TN2501N8-G

TN2501N8-G

osa: 81098

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 18V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 3V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 200mA, 3V,

Toivomuslista
MIC94050YM4-TR

MIC94050YM4-TR

osa: 157804

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 6V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista
VN10KN3-G-P002

VN10KN3-G-P002

osa: 174354

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
LP0701LG-G

LP0701LG-G

osa: 51372

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 16.5V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

Toivomuslista
TN0104N3-G-P003

TN0104N3-G-P003

osa: 96865

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
VN10KN3-G-P013

VN10KN3-G-P013

osa: 174393

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
TN2435N8-G

TN2435N8-G

osa: 74270

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 365mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 750mA, 10V,

Toivomuslista
DN3145N8-G

DN3145N8-G

osa: 136772

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 100mA, 0V,

Toivomuslista