Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

Koti
Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

Diodes Incorporated

BCX5616TA

osa: 100251

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC848C-7-F

osa: 142104

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC846BLP4-7B

osa: 148223

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC846B-7-F

osa: 150985

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BT-7-F

osa: 120748

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT38CTA

osa: 141855

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT591QTA

osa: 160791

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT958TA

osa: 147968

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN26020DMFTA

osa: 133091

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 290mV @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 290 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT657QTA

osa: 164373

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DN0150BLP4-7B

osa: 191653

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN04120HKTC

osa: 101513

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN25012EFLTA

osa: 191182

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT415TD

osa: 12024

Transistorin tyyppi: NPN - Avalanche Mode, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZX5T953GTA

osa: 164385

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN4240F-7

osa: 195

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DXT3150-13

osa: 148169

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT949TA

osa: 147935

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 440mV @ 500mA, 5.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DN0150ALP4-7B

osa: 173737

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMSTA13-7-F

osa: 150039

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT857TA

osa: 158530

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 345mV @ 600mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX855STZ

osa: 153457

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DCX69-25-13

osa: 111667

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT603TA

osa: 172281

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.13V @ 20mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX968STZ

osa: 153402

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX603STZ

osa: 180833

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP2014ZTA

osa: 180997

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

DXTP03200BP5-13

Diodes Incorporated

DXTP03200BP5-13

osa: 118341

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMTA92TA

osa: 131015

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT491ATC

osa: 176466

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

ZXTP25140BFHQTA

Diodes Incorporated

ZXTP25140BFHQTA

osa: 119986

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FCX718TA

osa: 180939

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DXT690BP5-13

osa: 168129

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMTL619TA

osa: 195659

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DSS5240TQ-7

osa: 158534

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP25100BFHTA

osa: 170543

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

1418

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»