Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 40

APT13003DI-G1

osa: 133240

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005SU-G1

osa: 152583

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT17NTR-G1

osa: 164534

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 480V, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 20V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005SI-G1

osa: 171737

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003NZTR-G1

osa: 108878

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005DTF-G1

osa: 198220

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005DI-G1

osa: 107504

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003HU-G1

osa: 146547

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 465V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003DU-G1

osa: 152565

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC807-25W-7

osa: 180876

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC856AW-7-F

osa: 179641

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC848AW-7-F

osa: 168383

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857CW-7-F

osa: 157946

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847CW-7-F

osa: 120153

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC848CW-7-F

osa: 168906

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857BW-7-F

osa: 162906

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BFAQ-7B

osa: 133496

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BW-7-F

osa: 159882

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCX41QTA

osa: 182046

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 125V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 75µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSR33QTA

osa: 141772

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857BLP4-7B

osa: 156283

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BLP4-7B

osa: 179030

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857BLP-7

osa: 182930

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BLP-7

osa: 185550

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857BFA-7B

osa: 153107

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847BFA-7B

osa: 163439

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC53-16PA-7

osa: 198997

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857CT-7-F

osa: 139424

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC847AT-7-F

osa: 135358

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BC857BLP4-7

osa: 166291

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCP53TA

osa: 166657

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCW66HTA

osa: 116019

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCX5216TA

osa: 123194

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCV47TA

osa: 186062

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCX55TA

osa: 134225

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BCP5110TA

osa: 163873

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista