Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 40

FZT795ATA

osa: 189125

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX689BSTZ

osa: 153963

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT1048ATA

osa: 193591

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 17.5V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP25020DZTA

osa: 169323

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 265mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DXT2011P5Q-13

osa: 136

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN2007ZTA

osa: 180916

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP19060CGTA

osa: 193562

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP07012EFFTA

osa: 152094

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MJD340-13

osa: 103

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP07040DFFTA

osa: 117175

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 390mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP722MATA

osa: 127237

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT495TA

osa: 138815

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 250mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX560

osa: 107733

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DP0150ALP4-7B

osa: 162419

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT494QTA

osa: 167

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP2039FTC

osa: 166919

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZUMT717TA

osa: 186135

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DCX69-16-13

osa: 112402

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZX5T955ZTA

osa: 177104

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DXT458P5-13

osa: 166019

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX751STZ

osa: 111673

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT723QTA

osa: 141417

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT624TC

osa: 105911

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 125V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZX5T3ZTC

osa: 128390

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP4001ZTA

osa: 157728

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 85mA, 100mV,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTPS718MCTA

osa: 140153

Transistorin tyyppi: PNP + Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN04120HP5TC

osa: 142

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMBT4401-13-F

osa: 198454

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT749TC

osa: 189787

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX457STZ

osa: 102481

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX451STZ

osa: 131968

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTPS717MCTA

osa: 184148

Transistorin tyyppi: PNP + Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4.4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT649TC

osa: 129003

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN2011ZTA

osa: 134369

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN19055DZTA

osa: 180248

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DRDN010W-7

osa: 115095

Transistorin tyyppi: NPN + Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista