Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 40

2DD1664P-13

osa: 10842

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DD2150R-13

osa: 6473

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA2018-7

osa: 114727

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617Q-7-F

osa: 109523

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DB1694-7

osa: 101711

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1201YQTC

osa: 13261

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617R-7

osa: 5517

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1774QLP-7

osa: 5404

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DB1132P-13

osa: 153474

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1797-13

osa: 162218

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1774R-7-F

osa: 181764

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1774R-7

osa: 5366

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4672-13

osa: 167590

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617S-7

osa: 6513

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DA1774S-7

osa: 5091

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617Q-7

osa: 112973

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617R-7-F

osa: 180519

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617QLP-7

osa: 174318

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DD2652-7

osa: 131720

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617QLP-7B

osa: 168515

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

2DC4617S-7-F

osa: 115193

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

AC857CWQ-7

osa: 93

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005T-G1

osa: 162608

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003EZTR-G1

osa: 104588

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 465V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003SZTR-G1

osa: 123970

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003LZTR-G1

osa: 189799

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005TF-G1

osa: 136323

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT27ZTR-G1

osa: 145

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

AC857BQ-7

osa: 193

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005STF-G1

osa: 93966

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003SU-G1

osa: 170361

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13005DT-G1

osa: 177892

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003EU-G1

osa: 155838

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 465V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003HZTR-G1

osa: 140796

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 465V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT13003DZTR-G1

osa: 106044

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

APT27HZTR-G1

osa: 185110

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista