Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot
DMC25D1UVT-13
Diodes Incorporated

DMC25D1UVT-13

osa: 110745

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA, 3.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
DMP2060UFDB-13
Diodes Incorporated

DMP2060UFDB-13

osa: 197487

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2014LHAB-7
Diodes Incorporated

DMN2014LHAB-7

osa: 140079

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC1029UFDB-7
Diodes Incorporated

DMC1029UFDB-7

osa: 193190

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
ZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8TC

osa: 144095

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista
DMNH4026SSD-13
Diodes Incorporated

DMNH4026SSD-13

osa: 144862

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN5L06VAK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06VAK-7

osa: 124182

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 280mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC3032LSD-13
Diodes Incorporated

DMC3032LSD-13

osa: 156719

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.1A, 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN1029UFDB-7
Diodes Incorporated

DMN1029UFDB-7

osa: 192045

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC4028SSD-13
Diodes Incorporated

DMC4028SSD-13

osa: 191384

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
ZXMP6A16DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8TA

osa: 193933

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated

DMG1016VQ-7

osa: 134633

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMP2200UDW-7
Diodes Incorporated

DMP2200UDW-7

osa: 131211

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 900mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivomuslista
ZXMN2A04DN8TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A04DN8TA

osa: 61374

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

Toivomuslista
DMN3135LVT-7
Diodes Incorporated

DMN3135LVT-7

osa: 125318

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN4034SSD-13
Diodes Incorporated

DMN4034SSD-13

osa: 104438

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMPH6050SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMPH6050SSDQ-13

osa: 176283

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC4040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMC4040SSDQ-13

osa: 191341

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Toivomuslista
DMP3056LSDQ-13
Diodes Incorporated

DMP3056LSDQ-13

osa: 10772

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC1229UFDB-7
Diodes Incorporated

DMC1229UFDB-7

osa: 185667

FET-tyyppi: N and P-Channel, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2215UDM-7
Diodes Incorporated

DMN2215UDM-7

osa: 186022

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG1016UDW-7
Diodes Incorporated

DMG1016UDW-7

osa: 177152

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.07A, 845mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated

DMT3020LFDB-13

osa: 176284

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG8822UTS-13
Diodes Incorporated

DMG8822UTS-13

osa: 155822

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
DMPH6050SPD-13
Diodes Incorporated

DMPH6050SPD-13

osa: 156193

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated

DMC3025LSDQ-13

osa: 10850

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC2400UV-13
Diodes Incorporated

DMC2400UV-13

osa: 156715

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
DMN3016LDN-13
Diodes Incorporated

DMN3016LDN-13

osa: 103259

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista
DMTH4011SPD-13
Diodes Incorporated

DMTH4011SPD-13

osa: 10768

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN3012LFG-13
Diodes Incorporated

DMN3012LFG-13

osa: 283

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

Toivomuslista
DMNH6022SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMNH6022SSDQ-13

osa: 158541

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.1A, 22.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated

DMN66D0LDW-7

osa: 193621

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated

DMN2016LHAB-7

osa: 190312

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG1016VQ-13
Diodes Incorporated

DMG1016VQ-13

osa: 163191

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC1030UFDB-13
Diodes Incorporated

DMC1030UFDB-13

osa: 115059

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2029USD-13
Diodes Incorporated

DMN2029USD-13

osa: 136935

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista