Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

osa: 125578

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG4800LSD-13
Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

osa: 135796

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated

DMN2016UTS-13

osa: 168999

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.58A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC2004VK-7
Diodes Incorporated

DMC2004VK-7

osa: 152592

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 670mA, 530mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMP2160UFDB-7
Diodes Incorporated

DMP2160UFDB-7

osa: 170482

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3085LSD-13

osa: 197990

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG1026UV-7
Diodes Incorporated

DMG1026UV-7

osa: 118631

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMC2004DWK-7

osa: 194049

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSDQ-13

osa: 115786

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
DMP210DUDJ-7
Diodes Incorporated

DMP210DUDJ-7

osa: 191309

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN601DWK-7
Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

osa: 176941

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivomuslista
DMN5L06DMK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06DMK-7

osa: 107540

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-7

osa: 105819

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMN2004DMK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

osa: 125678

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMC2400UV-7
Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

osa: 138188

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
DMG1016V-7
Diodes Incorporated

DMG1016V-7

osa: 107374

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

osa: 173089

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 24V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista