Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

osa: 67976

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-13

osa: 164672

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2004DMK-7

osa: 161101

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 550mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ-7

osa: 158335

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC2700UDMQ-7

osa: 273

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2040LTS-13

osa: 129560

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1029UFDB-13

osa: 165180

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2060UFDB-7

osa: 104528

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC25D0UVT-7

osa: 145606

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA, 3.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN4031SSD-13

osa: 188923

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN601DWKQ-7

osa: 16267

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 305mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP1046UFDB-13

osa: 131033

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2036UCB4-7

osa: 9926

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMC4559DN8TA

osa: 76154

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A, 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC3028LSD-13

osa: 124769

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 6.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

osa: 9998

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

osa: 120600

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT3020LFDB-7

osa: 173648

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMC4559DN8TC

osa: 98680

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A, 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2028UFU-13

osa: 184757

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG8601UFG-7

osa: 139933

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC1030UFDBQ-7

osa: 120462

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2200UDW-13

osa: 108457

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 900mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-7

osa: 176531

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN4031SSDQ-13

osa: 188739

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN3055LFDB-13

osa: 174963

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista

DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

osa: 190261

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP1055UFDB-7

osa: 154659

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC3400SDW-13

osa: 156092

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 650mA, 450mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT6018LDR-7

osa: 150011

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1150UFL3-7

osa: 127702

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMC1029UFDB-13

osa: 120593

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN32D4SDW-13

osa: 172309

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 650mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN4026SSD-13

osa: 191283

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT6018LDR-13

osa: 215

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH4007SPD-13

osa: 135932

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista

413

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»