Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 40

DMNH10H028SK3-13

osa: 118876

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2215L-7

osa: 169317

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN3B14FTA

osa: 178557

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3056L-7

osa: 161472

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3098L-7

osa: 126517

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP21D0UFB4-7B

osa: 104517

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 770mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN60H3D5SK3-13

osa: 199805

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2300U-7

osa: 100038

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.24A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN6140L-13

osa: 176015

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2160U-7

osa: 166058

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN5L06K-7

osa: 182292

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG2302U-7

osa: 182756

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG2305UX-13

osa: 107888

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3099L-7

osa: 109935

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP1022UFDE-7

osa: 197478

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3068L-7

osa: 125749

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG1013UW-7

osa: 131523

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 820mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP4065S-7

osa: 130303

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN26D0UFB4-7

osa: 124455

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN10H220L-7

osa: 130232

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1.6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2075U-7

osa: 197480

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG3415U-7

osa: 102707

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG3406L-13

osa: 142489

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN5L06WK-7

osa: 159989

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2400UFB4-7

osa: 156142

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FTA

osa: 186248

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2075UDW-7

osa: 147859

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 3A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2035U-7

osa: 135678

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXM61N02FTA

osa: 177130

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 930mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

osa: 158680

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG1012UW-7

osa: 180686

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2100U-7

osa: 141173

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG301NU-13

osa: 191217

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3130L-7

osa: 197175

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG6968U-7

osa: 107882

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2305U-7

osa: 106755

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Toivomuslista