Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Diodes Incorporated

DMP4015SSSQ-13

osa: 179528

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN63D1L-13

osa: 133502

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1008UFDF-13

osa: 21539

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 5A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-13

osa: 133466

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP6023LE-13

osa: 118375

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 18.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-13

osa: 178239

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZVP3306A

osa: 104669

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

osa: 144705

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2078LCA3-7

osa: 21525

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 500mA, 8V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP21D5UFD-7

osa: 129814

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

osa: 193903

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZVP4424GTA

osa: 140930

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 240V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN15H310SE-13

osa: 144145

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), 7.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZVP2110GTA

osa: 148022

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN601WKQ-13

osa: 106529

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP31D0UFB4-7B

osa: 190747

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2045U-7

osa: 24343

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP4065SQ-7

osa: 24380

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP31D0U-7

osa: 103422

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN2A14FTA

osa: 197638

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN6A09KTC

osa: 21559

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 7.3A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN6040SSS-13

osa: 159417

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2990UFO-7B

osa: 21563

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

VN10LP

osa: 97708

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN53D0L-13

osa: 198739

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN13H750S-7

osa: 103087

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 130V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP32D5SFB-7B

osa: 128189

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN6A07ZTA

osa: 186252

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZVP4525GTA

osa: 151675

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 265mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN67D8L-7

osa: 111371

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG6402LVT-7

osa: 139093

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN62D1SFB-7B

osa: 106857

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 40mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7

osa: 174157

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TA

osa: 135134

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DI9405T

osa: 5905

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP56D0UFB-7B

osa: 150649

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V,

Toivomuslista

1420

«
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
»