Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 20V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
Vgs (enintään) | ±10V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 400mW (Ta) |
Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | X2-DFN1006-3 |
Pakkaus / kotelo | 3-XFDFN |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |