Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

KBPC1002-G
Comchip Technology

KBPC1002-G

osa: 41765

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
KBU3506-G
Comchip Technology

KBU3506-G

osa: 69217

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC5002-G
Comchip Technology

GBPC5002-G

osa: 26132

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
CDBHM230L-HF
Comchip Technology

CDBHM230L-HF

osa: 140382

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 30V,

Toivelistaan
GBJ2504-04-G
Comchip Technology

GBJ2504-04-G

osa: 105

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
DF208ST-G
Comchip Technology

DF208ST-G

osa: 141992

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
GBPC2504W-G
Comchip Technology

GBPC2504W-G

osa: 35761

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
GBJ2506-G
Comchip Technology

GBJ2506-G

osa: 52578

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC3501W-G
Comchip Technology

GBPC3501W-G

osa: 32561

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
GBPC2506-G
Comchip Technology

GBPC2506-G

osa: 32581

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
KBL401-G
Comchip Technology

KBL401-G

osa: 168148

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
GBLA04 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA04 D2G

osa: 77

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
TS25P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P01G C2G

osa: 158

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
DBL205GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL205GHC1G

osa: 151

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan
HDBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL106G C1G

osa: 131

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L06HD2G

osa: 127

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 960mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202GHC1G

osa: 80

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivelistaan
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS201GHRDG

osa: 148

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan
TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04GHD2G

osa: 72

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
SBS36 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS36 REG

osa: 164

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 60V,

Toivelistaan
SBS34HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS34HREG

osa: 120

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 40V,

Toivelistaan
TS50P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P05G D2G

osa: 115

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
TS6K60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K60HD3G

osa: 160

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DBLS106GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS106GHC1G

osa: 104

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 800V,

Toivelistaan
TS25P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P06G C2G

osa: 123

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
GBPC1510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1510W T0G

osa: 86

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
GBL08HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL08HD2G

osa: 120

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
TS8P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P02GHC2G

osa: 79

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
TS8P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05G C2G

osa: 126

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05GHD2G

osa: 73

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GHXS015A120S-D1E
Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

osa: 1190

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivelistaan
VUO50-12NO3
IXYS

VUO50-12NO3

osa: 2797

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 58A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1200V,

Toivelistaan
DF02S-T
Diodes Incorporated

DF02S-T

osa: 141

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
CBR1-L040M
Central Semiconductor Corp

CBR1-L040M

osa: 139531

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
GBLA06-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/51

osa: 145901

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division

CPC7556N

osa: 176159

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.49V @ 250mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 100V,

Toivelistaan