Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

2KBP04ML-6212E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6212E4/51

osa: 8756

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
2KBP02ML-6192E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-6192E4/72

osa: 8742

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2KBP04M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/72

osa: 8827

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
2KBP02ML-5301E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-5301E4/72

osa: 8755

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2KBP02M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/72

osa: 8792

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2KBP01M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/72

osa: 8774

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
2KBP01M-10E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-10E4/51

osa: 8821

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
2KBP005M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/72

osa: 2874

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
2KBP10M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-M4/51

osa: 8734

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
2KBP08M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-M4/51

osa: 8774

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
2KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-M4/51

osa: 8798

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
2KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-M4/51

osa: 8747

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
2KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-M4/51

osa: 8740

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
2KBP10ML-6767E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/51

osa: 8731

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/45

osa: 8714

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
2KBP10M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/45

osa: 8663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
2KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-M4/51

osa: 8663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2KBP06M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/45

osa: 2923

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
2KBP02M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/45

osa: 8636

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2KBP04M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/45

osa: 8705

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
2KBP005M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/45

osa: 8640

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
2KBP01M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/45

osa: 8716

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/51

osa: 98957

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
2W08M
GeneSiC Semiconductor

2W08M

osa: 175353

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
2W10M
GeneSiC Semiconductor

2W10M

osa: 150045

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan
2W06M
GeneSiC Semiconductor

2W06M

osa: 102885

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
2W04M
GeneSiC Semiconductor

2W04M

osa: 161650

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
2W02M
GeneSiC Semiconductor

2W02M

osa: 116863

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
2W005M
GeneSiC Semiconductor

2W005M

osa: 108008

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
2W01M
GeneSiC Semiconductor

2W01M

osa: 114521

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
2W02G
ON Semiconductor

2W02G

osa: 8699

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
2W10G
ON Semiconductor

2W10G

osa: 8580

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
2W08G
ON Semiconductor

2W08G

osa: 8572

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
2W04G
ON Semiconductor

2W04G

osa: 8604

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
2W01G
ON Semiconductor

2W01G

osa: 8589

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
2W005G
ON Semiconductor

2W005G

osa: 8578

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan