Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

BCX70K
ON Semiconductor

BCX70K

osa: 151915

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Toivelistaan
BD138G
ON Semiconductor

BD138G

osa: 120144

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivelistaan
BD675AS
ON Semiconductor

BD675AS

osa: 120104

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivelistaan
BD239ATU
ON Semiconductor

BD239ATU

osa: 113926

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Toivelistaan
BDV64BG
ON Semiconductor

BDV64BG

osa: 40993

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Toivelistaan
BD244CTU
ON Semiconductor

BD244CTU

osa: 194160

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivelistaan
BD438STU
ON Semiconductor

BD438STU

osa: 110953

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
BUV21G
ON Semiconductor

BUV21G

osa: 7135

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 3mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V,

Toivelistaan
BUV22G
ON Semiconductor

BUV22G

osa: 6634

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 3mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Toivelistaan
BD680ASTU
ON Semiconductor

BD680ASTU

osa: 109313

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivelistaan
BUB323ZG
ON Semiconductor

BUB323ZG

osa: 45503

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Toivelistaan
BD241CG
ON Semiconductor

BD241CG

osa: 147452

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivelistaan
BD439S
ON Semiconductor

BD439S

osa: 111006

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
BDV65BG
ON Semiconductor

BDV65BG

osa: 41181

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Toivelistaan
BD679G
ON Semiconductor

BD679G

osa: 114507

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Toivelistaan
BDW93CTU
ON Semiconductor

BDW93CTU

osa: 150953

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Toivelistaan
BD238STU
ON Semiconductor

BD238STU

osa: 135665

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Toivelistaan
BD140G
ON Semiconductor

BD140G

osa: 128515

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivelistaan
BD437S
ON Semiconductor

BD437S

osa: 116323

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
BDX54CG
ON Semiconductor

BDX54CG

osa: 75542

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivelistaan
BD13616S
ON Semiconductor

BD13616S

osa: 149453

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivelistaan
BD241CTU
ON Semiconductor

BD241CTU

osa: 109334

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivelistaan
BD810G
ON Semiconductor

BD810G

osa: 156462

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Toivelistaan
BD244BG
ON Semiconductor

BD244BG

osa: 162870

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Toivelistaan
BDX33CG
ON Semiconductor

BDX33CG

osa: 75516

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivelistaan
BUL45D2G
ON Semiconductor

BUL45D2G

osa: 65990

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V,

Toivelistaan
BD678A
STMicroelectronics

BD678A

osa: 86151

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivelistaan
BUF420AW
STMicroelectronics

BUF420AW

osa: 7129

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4A, 20A,

Toivelistaan
BD681
STMicroelectronics

BD681

osa: 1831

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Toivelistaan
BUL1102E
STMicroelectronics

BUL1102E

osa: 68468

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

Toivelistaan
BUL138
STMicroelectronics

BUL138

osa: 50192

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1A, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Toivelistaan
BUL416T
STMicroelectronics

BUL416T

osa: 25436

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V,

Toivelistaan
BD679A
STMicroelectronics

BD679A

osa: 99018

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivelistaan
BUL7216
STMicroelectronics

BUL7216

osa: 54275

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 700V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 800mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 5V,

Toivelistaan
BCW71,215
Nexperia USA Inc.

BCW71,215

osa: 170816

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Toivelistaan
BD241D-S
Bourns Inc.

BD241D-S

osa: 7318

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivelistaan