Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2N2904AL

osa: 4988

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5002

osa: 147

2N3498L

osa: 142

2N3419

osa: 151

2N5581

osa: 8040

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6436

osa: 143

2N5430

osa: 81

2N2907AL

osa: 14535

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N2369AU

osa: 1550

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 400nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

2N6340

osa: 133

2N4914

osa: 130

2N3019S

osa: 4367

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

2N6438

osa: 98

2N5154L

osa: 164

2N6051

osa: 84

2N6317

osa: 2512

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2.5A, 4V,

2N1481

osa: 122

2N6249

osa: 124

2N3867S

osa: 105

2N6297

osa: 173

2N5671

osa: 176

2N4261

osa: 3607

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V,

2N3637L

osa: 5563

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 175V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

2N3724

osa: 83

2N6280

osa: 81

2N4931

osa: 151

2N3507

osa: 160

2N657

osa: 125

2N2484UB

osa: 5222

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V,

2N498

osa: 160

2N2812

osa: 107

2N3420

osa: 86

2N3762L

osa: 150

2SC6026CTGRTPL3

osa: 154

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SC4944-GR(TE85L,F

osa: 155

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SD1785

osa: 111367

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,