Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2SC3074-O(Q)

osa: 6562

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

2SC2705-O(TPE6,F)

osa: 6533

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

2SC2705-O(TE6,F,M)

osa: 6581

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

2SA1930(Q,M)

osa: 150987

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 180V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2SA1887(F)

osa: 6584

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

2SA1244-Y(Q)

osa: 6565

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

2SA1242-Y(Q)

osa: 6708

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

2N3906RL1G

osa: 6703

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

2SD1801S-E

osa: 10407

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2N3904RL1G

osa: 6563

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

2SA1593T-E

osa: 144910

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2SC6097-E

osa: 186429

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

2SB1201S-E

osa: 145031

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2N4231

osa: 6571

2N4901

osa: 6609

2N5427

osa: 2578

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 7A, 80V,

2N3708

osa: 128471

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 1mA, 5V,

2SC5001TLQ

osa: 174383

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

2SB1412TLQ

osa: 165405

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

2SAR573D3TL1

osa: 10803

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

2SA1952TLQ

osa: 123401

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

2SD1918TLQ

osa: 122179

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

2SB1412TLR

osa: 185963

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

2SC5001TLR

osa: 174422

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

2DD1664Q-13

osa: 101806

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2DD2678-13

osa: 175240

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

2DB1714-13

osa: 10780

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

2DB1182Q-13

osa: 166235

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

2DB1132R-13

osa: 181860

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

2DB1119S-13

osa: 189293

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 50mA, 2V,

2DD1664R-13

osa: 177836

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

2DD1621T-13

osa: 114755

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2DD2661-13

osa: 171709

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

2DB1184Q-13

osa: 198960

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

2DD1664P-13

osa: 10842

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

2SD2081

osa: 42418

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 4V,