Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2SD1802S-E

osa: 114463

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2SC6082-EPN-1E

osa: 77167

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V,

2SA2210-EPN-1E

osa: 77167

2N6488G

osa: 80533

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

2N5302G

osa: 16827

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

2SA1943RTU

osa: 19703

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

2SD1060R-1E

osa: 88452

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

2N4919G

osa: 122050

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V,

2SA1962RTU

osa: 38766

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

2SB1204T-E

osa: 132183

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2N5885G

osa: 18815

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

2N6284G

osa: 15633

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

2N6287G

osa: 16866

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

2SC4138

osa: 26497

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 6A, 4V,

2SA1494

osa: 9726

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8A, 4V,

2SC4382

osa: 46402

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V,

2SA1294

osa: 16607

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V,

2SB1382

osa: 16907

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 16mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 8A, 4V,

2SD2389

osa: 24176

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V,

2SC4301

osa: 19979

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

2SC4495

osa: 52357

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

2SA1673

osa: 15170

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 180V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

2SB1559

osa: 23533

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V,

2SA1943-O(Q)

osa: 22767

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

2SC13830R

osa: 138231

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

2N2405

osa: 34734

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 90V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V,

2N2925

osa: 162772

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO),

2N4895

osa: 6102

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

2N5058

osa: 11757

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V,

2N5209

osa: 107763

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V,

2N1480

osa: 17968

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 20mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V,

2N2219

osa: 32901

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6384

osa: 10941

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

2N3467

osa: 24840

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

2STA2120

osa: 20873

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

2STA1962

osa: 25053

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,