Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IRGB4062DPBF
Infineon Technologies

IRGB4062DPBF

osa: 15219

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRGP35B60PD-EP
Infineon Technologies

IRGP35B60PD-EP

osa: 15758

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 35A, Teho - maks: 308W,

Toivelistaan
IRGR4045DTRPBF
Infineon Technologies

IRGR4045DTRPBF

osa: 63312

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Teho - maks: 77W,

Toivelistaan
IRGI4062DPBF
Infineon Technologies

IRGI4062DPBF

osa: 5664

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A, Teho - maks: 48W,

Toivelistaan
IRG4PH50S-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50S-EPBF

osa: 11454

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 57A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 114A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IKD10N60R
Infineon Technologies

IKD10N60R

osa: 6688

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IRG7PH37K10DPBF
Infineon Technologies

IRG7PH37K10DPBF

osa: 6764

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 216W,

Toivelistaan
IRG7CH81K10EF-R
Infineon Technologies

IRG7CH81K10EF-R

osa: 6814

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

Toivelistaan
IRGP6640D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP6640D-EPBF

osa: 6839

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 53A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IHW40T60FKSA1
Infineon Technologies

IHW40T60FKSA1

osa: 6753

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Teho - maks: 303W,

Toivelistaan
IKD15N60R
Infineon Technologies

IKD15N60R

osa: 6733

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG4PH50KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50KDPBF

osa: 7255

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
SGW15N60FKSA1
Infineon Technologies

SGW15N60FKSA1

osa: 6745

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 62A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 139W,

Toivelistaan
IRGR2B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGR2B60KDPBF

osa: 39621

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.3A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 8A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A, Teho - maks: 35W,

Toivelistaan
IRG8CH29K10F
Infineon Technologies

IRG8CH29K10F

osa: 5698

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A,

Toivelistaan
IRGB4615DPBF
Infineon Technologies

IRGB4615DPBF

osa: 6790

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 8A, Teho - maks: 99W,

Toivelistaan
STGB5H60DF
STMicroelectronics

STGB5H60DF

osa: 106999

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
STGB30NC60WT4
STMicroelectronics

STGB30NC60WT4

osa: 25014

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGQ50N60C4D1
IXYS

IXGQ50N60C4D1

osa: 6818

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH39N60BD1
IXYS

IXGH39N60BD1

osa: 6735

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 76A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 152A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGQ90N33TC
IXYS

IXGQ90N33TC

osa: 6677

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 45A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGL50N60BD1
IXYS

IXGL50N60BD1

osa: 6705

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V,

Toivelistaan
IXGK120N120A3
IXYS

IXGK120N120A3

osa: 2690

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXSX50N60BU1
IXYS

IXSX50N60BU1

osa: 6676

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH35N120C
IXYS

IXGH35N120C

osa: 6715

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH24N60BU1
IXYS

IXGH24N60BU1

osa: 6725

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXSR50N60BU1
IXYS

IXSR50N60BU1

osa: 6677

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V,

Toivelistaan
IXGP50N33TBM-A
IXYS

IXGP50N33TBM-A

osa: 6700

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
IXGR40N60B
IXYS

IXGR40N60B

osa: 8520

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGX82N120A3
IXYS

IXGX82N120A3

osa: 3921

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 260A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 580A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 82A, Teho - maks: 1250W,

Toivelistaan
IXBF50N360
IXYS

IXBF50N360

osa: 1337

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 420A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
RGT40NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

osa: 64766

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 161W,

Toivelistaan
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

osa: 6871

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivelistaan
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

osa: 104319

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

Toivelistaan
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America

RJH1BF6RDPQ-80#T2

osa: 6799

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1100V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A, Teho - maks: 227.2W,

Toivelistaan
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America

RJH60T04DPQ-A1#T0

osa: 5597

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A, Teho - maks: 208.3W,

Toivelistaan