Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

APT75GN60BG
Microsemi Corporation

APT75GN60BG

osa: 8678

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 155A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Teho - maks: 536W,

Toivelistaan
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

osa: 3491

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Teho - maks: 536W,

Toivelistaan
APT50GN60BG
Microsemi Corporation

APT50GN60BG

osa: 13902

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Teho - maks: 366W,

Toivelistaan
APT50GS60BRG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

osa: 9786

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 93A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 195A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Teho - maks: 415W,

Toivelistaan
APT30GN60BG
Microsemi Corporation

APT30GN60BG

osa: 19623

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 63A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 203W,

Toivelistaan
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

osa: 3865

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 135A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 781W,

Toivelistaan
APT15GT120BRG
Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

osa: 12117

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
APT30GP60B2DLG
Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

osa: 7454

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivelistaan
APT30GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

osa: 14922

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 63A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 203W,

Toivelistaan
APT20GN60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

osa: 20011

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Teho - maks: 136W,

Toivelistaan
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT150GN60LDQ4G

osa: 3228

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Teho - maks: 536W,

Toivelistaan
APT50GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

osa: 9330

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Teho - maks: 366W,

Toivelistaan
AOB5B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB5B65M1

osa: 113578

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A, Teho - maks: 83W,

Toivelistaan
AOTF5B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF5B60D

osa: 111794

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Teho - maks: 31.2W,

Toivelistaan
AOK40B120M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK40B120M1

osa: 201

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
AOTF15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF15B60D

osa: 64165

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
AOK20B60D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B60D1

osa: 39273

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 74A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
AOK75B60D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK75B60D1

osa: 15385

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 290A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
AOT5B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT5B60D

osa: 105715

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Teho - maks: 82.4W,

Toivelistaan
AOK15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK15B60D

osa: 31024

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
AOK60B60D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK60B60D1

osa: 18486

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 210A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Teho - maks: 417W,

Toivelistaan
AOB5B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB5B60D

osa: 111210

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Teho - maks: 82.4W,

Toivelistaan
AOTF15B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF15B65M1

osa: 33943

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A, Teho - maks: 36W,

Toivelistaan
AOK30B60D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK30B60D1

osa: 32213

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 26A, Teho - maks: 208W,

Toivelistaan
AOTF10B60D2
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10B60D2

osa: 225

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Teho - maks: 31.2W,

Toivelistaan
AOB15B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB15B65M1

osa: 68229

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A, Teho - maks: 214W,

Toivelistaan
AOK30B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK30B60D

osa: 24368

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 128A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 278W,

Toivelistaan
AOTF15B60D2
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF15B60D2

osa: 85978

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 42W,

Toivelistaan
AOD5B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD5B65M1

osa: 168937

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A, Teho - maks: 69W,

Toivelistaan
AOK50B65H1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK50B65H1

osa: 171

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
AOK20B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B65M1

osa: 249

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A, Teho - maks: 227W,

Toivelistaan
AOK40B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK40B60D

osa: 20558

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 312.5W,

Toivelistaan
AOK20B120E2
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B120E2

osa: 197

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
AOB15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB15B60D

osa: 57343

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
AOB10B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB10B60D

osa: 74517

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 163W,

Toivelistaan
AOD5B65N1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD5B65N1

osa: 259

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Teho - maks: 52W,

Toivelistaan