Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

2A01G-T
Diodes Incorporated

2A01G-T

osa: 5079

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
2A03-T
Diodes Incorporated

2A03-T

osa: 426

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
2A06G-T
Diodes Incorporated

2A06G-T

osa: 291

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045S

osa: 421

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15TS

osa: 156

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 410mV @ 19A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
249NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

249NQ135

osa: 199

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 135V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.07V @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20BQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030TR

osa: 158

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030

osa: 192

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRR

osa: 135

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRL

osa: 100

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRR

osa: 176

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRL

osa: 155

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRL

osa: 178

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRR

osa: 130

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRR

osa: 160

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRL

osa: 94

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivelistaan
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRR

osa: 112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivelistaan
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10FP

osa: 113

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivelistaan
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRR

osa: 151

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivelistaan
20ETF08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRL

osa: 117

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivelistaan
20ETF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRR

osa: 5074

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivelistaan
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRL

osa: 116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivelistaan
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRR

osa: 102

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivelistaan
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04STRL

osa: 5088

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivelistaan
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRL

osa: 146

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivelistaan
200HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR80PV

osa: 90

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.45V @ 628A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR120PV

osa: 155

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.45V @ 628A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR40PV

osa: 107

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.45V @ 628A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15T

osa: 132

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 410mV @ 19A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
243NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100R

osa: 161

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 860mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
243NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100

osa: 107

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 860mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
243NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ080

osa: 144

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 860mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
242NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030R

osa: 152

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
242NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030

osa: 159

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045

osa: 97

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 690mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045R

osa: 128

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 690mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan