Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

osa: 171

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

osa: 82

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

osa: 173

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

osa: 98

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

osa: 157

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

osa: 94

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

osa: 76

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 310ns,

Toivelistaan
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

osa: 99

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 310ns,

Toivelistaan
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

osa: 161

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 310ns,

Toivelistaan
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

osa: 131

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 310ns,

Toivelistaan
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

osa: 5088

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 145ns,

Toivelistaan
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

osa: 145

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 145ns,

Toivelistaan
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

osa: 152

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 145ns,

Toivelistaan
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

osa: 153

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 145ns,

Toivelistaan
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

osa: 112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 145ns,

Toivelistaan
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

osa: 160

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

osa: 71

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

osa: 130

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

osa: 112

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

osa: 135

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

osa: 74

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

osa: 104

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

osa: 95

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

osa: 137

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

osa: 156

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

osa: 137

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

osa: 5037

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 180A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 180A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

osa: 91

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 910mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

osa: 5020

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 910mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

osa: 69

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

osa: 130

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

osa: 5051

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

osa: 135

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

osa: 74

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

osa: 120

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

osa: 4317

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivelistaan