Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

1N1183AR
GeneSiC Semiconductor

1N1183AR

osa: 10983

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3297AR
GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

osa: 3413

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3289A
GeneSiC Semiconductor

1N3289A

osa: 3418

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1184AR
GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

osa: 15082

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3295A
GeneSiC Semiconductor

1N3295A

osa: 3423

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1189R
GeneSiC Semiconductor

1N1189R

osa: 63

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N6095
GeneSiC Semiconductor

1N6095

osa: 5630

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N4588R
GeneSiC Semiconductor

1N4588R

osa: 3431

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3882R
GeneSiC Semiconductor

1N3882R

osa: 13616

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivelistaan
1N3296AR
GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

osa: 3451

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N2129A
GeneSiC Semiconductor

1N2129A

osa: 10804

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N6097
GeneSiC Semiconductor

1N6097

osa: 5607

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3212
GeneSiC Semiconductor

1N3212

osa: 14924

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3765R
GeneSiC Semiconductor

1N3765R

osa: 9630

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1190
GeneSiC Semiconductor

1N1190

osa: 10824

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3766R
GeneSiC Semiconductor

1N3766R

osa: 9633

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N5833R
GeneSiC Semiconductor

1N5833R

osa: 5570

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1186
GeneSiC Semiconductor

1N1186

osa: 13872

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N4588
GeneSiC Semiconductor

1N4588

osa: 3389

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3671A
GeneSiC Semiconductor

1N3671A

osa: 13788

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3890
GeneSiC Semiconductor

1N3890

osa: 15975

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivelistaan
1N5832R
GeneSiC Semiconductor

1N5832R

osa: 5637

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
150KR20A
GeneSiC Semiconductor

150KR20A

osa: 3465

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3210R
GeneSiC Semiconductor

1N3210R

osa: 14992

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1189
GeneSiC Semiconductor

1N1189

osa: 11471

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3296A
GeneSiC Semiconductor

1N3296A

osa: 3452

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N6096R
GeneSiC Semiconductor

1N6096R

osa: 5597

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N5826
GeneSiC Semiconductor

1N5826

osa: 5569

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 440mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N5826R
GeneSiC Semiconductor

1N5826R

osa: 5576

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 440mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N1187
GeneSiC Semiconductor

1N1187

osa: 14520

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N5827R
GeneSiC Semiconductor

1N5827R

osa: 5573

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

osa: 3442

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3208
GeneSiC Semiconductor

1N3208

osa: 10062

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N4593R
GeneSiC Semiconductor

1N4593R

osa: 3446

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N5833
GeneSiC Semiconductor

1N5833

osa: 5595

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1N3212R
GeneSiC Semiconductor

1N3212R

osa: 13593

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan