Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

DMN601DWK-7

osa: 176941

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

DMN5L06DMK-7

osa: 107540

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN2050LFDB-7

osa: 105819

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN2004DMK-7

osa: 125678

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJB70EP-T1_GE3

osa: 113439

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4936BDY-T1-E3

osa: 168524

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI1965DH-T1-E3

osa: 100544

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SIA911ADJ-T1-GE3

osa: 139873

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJ990EP-T1_GE3

osa: 141592

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SQ1563AEH-T1_GE3

osa: 2535

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 850mA (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SIA537EDJ-T1-GE3

osa: 157576

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5513CDC-T1-GE3

osa: 193923

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJQ904E-T1_GE3

osa: 54848

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI1926DL-T1-E3

osa: 150474

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7212DN-T1-E3

osa: 57376

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Toivelistaan

IRF9956TRPBF

osa: 162504

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

IRF7301TRPBF

osa: 199318

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Toivelistaan

IRF3575DTRPBF

osa: 34855

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 303A (Tc),

Toivelistaan

IRF7324TRPBF

osa: 97929

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

IPG20N06S2L35ATMA1

osa: 145368

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA,

Toivelistaan

IRF7103TRPBF

osa: 149977

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

osa: 152225

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

osa: 96459

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

osa: 138723

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

osa: 166276

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA, 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Toivelistaan

SSM6N57NU,LF

osa: 182932

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

osa: 151036

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A, 7.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

osa: 164511

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

NTMD4N03R2G

osa: 117636

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS6911

osa: 99941

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMD8630

osa: 2633

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS6975

osa: 115211

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS4897C

osa: 170499

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.2A, 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan