Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

APTM120H29FG
Microsemi Corporation

APTM120H29FG

osa: 261

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

osa: 446

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM50H15FT1G
Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

osa: 2107

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Toivelistaan
APTMC170AM30CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

osa: 139

FET-tyyppi: 2 N Channel (Phase Leg), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V (1.7kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Toivelistaan
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

osa: 1065

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM20HM08FG
Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

osa: 381

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM20AM05FG
Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

osa: 433

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 317A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan
APTM10HM09FT3G
Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

osa: 940

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

osa: 1470

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

osa: 1719

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

Toivelistaan
APTC80H15T1G
Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

osa: 1728

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Toivelistaan
APTM50AM38SCTG
Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

osa: 599

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM20HM10FG
Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

osa: 489

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTC60HM45SCTG
Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

osa: 743

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Toivelistaan
APTC80H15T3G
Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

osa: 1759

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Toivelistaan
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

osa: 248

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Toivelistaan
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

osa: 545

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTC60TDUM35PG
Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

osa: 688

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Toivelistaan
APTM10AM05FTG
Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

osa: 820

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Toivelistaan
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

osa: 1479

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Toivelistaan
APTC60HM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

osa: 1300

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Toivelistaan
APTC80TA15PG
Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

osa: 1022

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Toivelistaan
APTC80H29T3G
Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

osa: 2362

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM50HM75SCTG
Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

osa: 667

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTMC120AM20CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

osa: 173

FET-tyyppi: 2 N Channel (Phase Leg), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

Toivelistaan
APTM120A20DG
Microsemi Corporation

APTM120A20DG

osa: 538

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Toivelistaan
APTC60AM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

osa: 293

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Toivelistaan
APTMC120TAM34CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

osa: 251

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA,

Toivelistaan
APTM50DDAM65T3G
Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

osa: 1269

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTC60DDAM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

osa: 1114

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM10DSKM19T3G
Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

osa: 1965

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM20AM06SG
Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

osa: 553

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Toivelistaan
APTC60DDAM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

osa: 1722

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Toivelistaan
APTM100H18FG
Microsemi Corporation

APTM100H18FG

osa: 404

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM100H35FT3G
Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

osa: 784

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

osa: 537

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan