Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

SI5933DC-T1-GE3

osa: 2867

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4563DY-T1-E3

osa: 2704

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI6969BDQ-T1-E3

osa: 2784

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

VQ1006P-E3

osa: 2906

FET-tyyppi: 4 N-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 90V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4942DY-T1-E3

osa: 2870

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-GE3

osa: 2808

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-E3

osa: 2905

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-E3

osa: 2749

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.1A, 4.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-GE3

osa: 118908

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.4A, 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4967DY-T1-E3

osa: 2883

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-E3

osa: 2875

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Vishay Siliconix

SI3529DV-T1-GE3

osa: 2831

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 1.95A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

FDMC8200S_F106

osa: 3352

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 8.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

FW812-TL-E

osa: 2832

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 35V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NTLUD3191PZTBG

osa: 2826

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

FDS8962C

osa: 2774

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NTMC1300R2

osa: 3306

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.2A, 1.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

FDW9926NZ

osa: 2770

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

FDR8308P

osa: 2748

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

ON Semiconductor

EMH2407-TL-H

osa: 165186

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

ZXMD65P03N8TA

osa: 2983

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTC

osa: 2768

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TC

osa: 2701

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

Infineon Technologies

IRF7350PBF

osa: 2677

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.1A, 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivelistaan

Infineon Technologies

IRF7317PBF

osa: 75561

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Toivelistaan

Infineon Technologies

IRF7338PBF

osa: 2697

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

osa: 2780

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

osa: 2844

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

osa: 2920

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

osa: 2899

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

osa: 2655

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A,

Toivelistaan

Texas Instruments

CSD75208W1015T

osa: 192795

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivelistaan

STMicroelectronics

STS1DN45K3

osa: 2689

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA,

Toivelistaan

EPC

EPC2103

osa: 23026

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Toivelistaan

EPC

EPC2105

osa: 24303

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

Toivelistaan

IXYS

GWM120-0075X1-SMDSAM

osa: 2788

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan