Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

FDG6316P

FDG6316P

osa: 198667

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 700mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan
NVMFD5C470NWFT1G

NVMFD5C470NWFT1G

osa: 6533

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivelistaan
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

osa: 169532

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
NVMFD5C446NLWFT1G

NVMFD5C446NLWFT1G

osa: 6513

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA,

Toivelistaan
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

osa: 3001

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
FDMD8260L

FDMD8260L

osa: 45703

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
FDC6304P

FDC6304P

osa: 105335

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 460mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan
MMDF2C03HDR2G

MMDF2C03HDR2G

osa: 3144

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.1A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
EFC8811R-TF

EFC8811R-TF

osa: 164408

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Toivelistaan
NVMFD5C674NLWFT1G

NVMFD5C674NLWFT1G

osa: 6508

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA,

Toivelistaan
NTLUD3A50PZTBG

NTLUD3A50PZTBG

osa: 190294

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan
NVMFD5483NLWFT1G

NVMFD5483NLWFT1G

osa: 63618

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan
FD6M016N03

FD6M016N03

osa: 2999

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

osa: 166053

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 27A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

Toivelistaan
CSD87384MT

CSD87384MT

osa: 49054

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

Toivelistaan
CSD88584Q5DC

CSD88584Q5DC

osa: 25476

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Toivelistaan
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

osa: 96906

FET-tyyppi: 4 N-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14.8A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

osa: 222

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

osa: 134043

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

osa: 189

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

osa: 9996

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 550mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

osa: 128489

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

osa: 149358

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

osa: 127158

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

osa: 124158

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Toivelistaan
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

osa: 3011

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan
SIZ702DT-T1-GE3

SIZ702DT-T1-GE3

osa: 130304

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

osa: 117478

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan
SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

osa: 123903

FET-tyyppi: N and P-Channel, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Toivelistaan
SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3

osa: 152374

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan
FMM75-01F

FMM75-01F

osa: 4572

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

Toivelistaan
MKE38P600TLB

MKE38P600TLB

osa: 267

Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc),

Toivelistaan
VMK165-007T

VMK165-007T

osa: 1586

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 70V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 165A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Toivelistaan
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

osa: 3098

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivelistaan