Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän | Erilliset puolijohdetuotteet | 42

MUN5216DW1T1

osa: 1438

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

osa: 154023

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

osa: 1465

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

osa: 133175

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

osa: 168681

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

osa: 163385

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

osa: 3198

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

osa: 151022

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

osa: 182502

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

osa: 152242

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

osa: 138883

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

osa: 1489

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

osa: 1507

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

osa: 1480

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

osa: 181191

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

osa: 1463

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

osa: 1523

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

osa: 124106

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

osa: 116873

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

DDA114YU-7

osa: 1386

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

osa: 116363

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

osa: 111347

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 15V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

osa: 191530

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

osa: 125967

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

XP0621000L

osa: 1473

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

DMG264020R

osa: 139566

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

osa: 1478

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

osa: 1422

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

osa: 1454

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

osa: 100158

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 60V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

osa: 149516

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

osa: 174446

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

osa: 141367

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

osa: 142176

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

osa: 1384

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivelistaan

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

osa: 1498

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivelistaan