Muisti | Integroidut piirit (IC) | 100

6116SA55DB

osa: 5807

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA70TDB

osa: 5766

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA150TDB

osa: 5766

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA150DB

osa: 5778

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA45DB

osa: 5808

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA150TDB

osa: 5760

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA90DB

osa: 5747

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA70TDB

osa: 5760

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA120TDB

osa: 5810

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA90TDB

osa: 5764

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA35TDB

osa: 5823

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA55TDB

osa: 5817

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA70DB

osa: 5782

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA45DB

osa: 5743

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35TDB

osa: 5762

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA70DB

osa: 5784

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA120TDB

osa: 5835

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA55TDB

osa: 5743

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA55DB

osa: 5782

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35SOG8

osa: 7133

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35SOG

osa: 7140

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA15SOGI8

osa: 634

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA15TPG

osa: 16353

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA20TPGI

osa: 17992

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25TPG

osa: 18858

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25SOGI

osa: 19795

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25SOGI

osa: 19813

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25TPGI

osa: 19812

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA20SOGI

osa: 19885

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25SOG

osa: 20791

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25TPG

osa: 20779

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivelistaan

IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA20TPG

osa: 20734

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

Toivelistaan

Parallax Inc.

602-00032

osa: 47324

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

Toivelistaan

Parallax Inc.

602-20011

osa: 2167

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 6ms,

Toivelistaan

Parallax Inc.

602-00001

osa: 2078

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

Toivelistaan

Parallax Inc.

602-00005

osa: 2070

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8),

Toivelistaan