Muisti

51-30259Z01-A

osa: 7184

51-02471V01-A

osa: 7212

520966231076

osa: 7173

580536-004-00

osa: 2396

584327-001-00

osa: 300

580536-002-00

osa: 2397

540746-003-00

osa: 288

5088-7031

osa: 2389

540746-002-00

osa: 2355

520366231296

osa: 2248

5962-9459903MYA

osa: 1815

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

5962-9232406MYA

osa: 1828

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

5962-9459901MXA

osa: 1764

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

5962-9232404MYA

osa: 1823

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

5962F1120202QXA

osa: 82

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

5962F1120201QXA

osa: 43

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

5962F1120102QXA

osa: 32

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 72Mb (4M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

5962F1123501QXA

osa: 50

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 83MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

5962-9459903MXA

osa: 4495

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

5962-9232404MXA

osa: 5330

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

5962F1120101QXA

osa: 34

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 72Mb (4M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

625432-0030 03

osa: 5446

6116LA120DB

osa: 5798

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,

6116SA120DB

osa: 4359

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120ns,

6116LA90DB

osa: 4359

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

6116SA45TDB

osa: 5580

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

6116SA20DB

osa: 5577

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

6116SA20TDB

osa: 5507

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

6116LA35DB

osa: 5576

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

6116LA25DB

osa: 5584

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

6116SA25TDB

osa: 5550

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

6116LA20TDB

osa: 5796

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

6116SA150DB

osa: 5792

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

6116LA25TDB

osa: 5799

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

6116LA90TDB

osa: 5801

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

6116LA45TDB

osa: 5836

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,