Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - RF

BA779-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA779-HG3-08

osa: 161486

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Vastus @ Jos, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

Toivelistaan
BA783-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA783-HE3-18

osa: 4718

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

Toivelistaan
BA983-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA983-GS08

osa: 6957

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, Vastus @ Jos, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 200MHz,

Toivelistaan
BA679S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA679S-GS08

osa: 166161

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Vastus @ Jos, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

Toivelistaan
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.

BAP51-06W,115

osa: 126194

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Anode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 240mW,

Toivelistaan
BAP64-05,215
NXP USA Inc.

BAP64-05,215

osa: 197180

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 175V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAP65-02,115
NXP USA Inc.

BAP65-02,115

osa: 120733

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.375pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 715mW,

Toivelistaan
BAP70-03,115
NXP USA Inc.

BAP70-03,115

osa: 105697

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 500mW,

Toivelistaan
BAP51-02,115
NXP USA Inc.

BAP51-02,115

osa: 136236

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 715mW,

Toivelistaan
BAP64-06,215
NXP USA Inc.

BAP64-06,215

osa: 136626

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Anode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 175V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAP51LX,315
NXP USA Inc.

BAP51LX,315

osa: 185406

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 140mW,

Toivelistaan
BYM357X,127
NXP USA Inc.

BYM357X,127

osa: 6984

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1500V, 600V, Virta - Max: 7A,

Toivelistaan
BYM358X,127
NXP USA Inc.

BYM358X,127

osa: 6985

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1500V, 600V, Virta - Max: 7A,

Toivelistaan
BA277,135
NXP USA Inc.

BA277,135

osa: 6983

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 715mW,

Toivelistaan
BA277,335
NXP USA Inc.

BA277,335

osa: 6973

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 715mW,

Toivelistaan
BYM359X-1500,127
NXP USA Inc.

BYM359X-1500,127

osa: 6943

Diodityyppi: Standard - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1500V, Virta - Max: 10A,

Toivelistaan
BAR6304E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6304E6327HTSA1

osa: 9979

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAT1706WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1706WH6327XTSA1

osa: 159230

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Common Anode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAR6306WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAR6306WH6327XTSA1

osa: 117665

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Anode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT6302VH6327XTSA1

osa: 164113

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 3V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivelistaan
BAT68E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT68E6327HTSA1

osa: 9936

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 8V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies

BAR 63-02W H6433

osa: 6965

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies

BA892H6770XTSA1

osa: 6950

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

Toivelistaan
BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies

BAT 68-08S E6327

osa: 4754

Diodityyppi: Schottky - 3 Independent, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 8V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT1503WE6327HTSA1

osa: 123876

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 110mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivelistaan
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAR6402VH6327XTSA1

osa: 16246

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6503WE6327HTSA1

osa: 166404

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 900 mOhm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAT1504WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1504WH6327XTSA1

osa: 111141

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 110mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivelistaan
BAT1704E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT1704E6327HTSA1

osa: 16224

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAT1704WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1704WH6327XTSA1

osa: 140827

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAR6405E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6405E6327HTSA1

osa: 16259

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAT6804WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT6804WH6327XTSA1

osa: 152518

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 8V, Virta - Max: 130mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivelistaan
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co

BAP50-03-TP

osa: 148227

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivelistaan
BAP64-05-TP
Micro Commercial Co

BAP64-05-TP

osa: 107735

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 175V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 250mW,

Toivelistaan
BAP64-05W-TP
Micro Commercial Co

BAP64-05W-TP

osa: 155299

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 175V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivelistaan
BAT17,215
Nexperia USA Inc.

BAT17,215

osa: 176315

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 30mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 15 Ohm @ 5mA, 1kHz,

Toivelistaan