Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

ZXTC6719MCTA

osa: 136028

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

ZDT758TC

osa: 4550

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

ZXT12P20DXTC

osa: 4438

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

ZDT1049TA

osa: 94853

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMDT3906-7-F

osa: 167743

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ZDT6705TA

osa: 6533

Transistorin tyyppi: NPN, PNP Darlington (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

ZDT6718TA

osa: 129824

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V,

SMA4036

osa: 15652

Transistorin tyyppi: 6 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

SLA4051

osa: 23163

Transistorin tyyppi: 9 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V,

MMPQ3904 TR13

osa: 68964

Transistorin tyyppi: 4 NPN (Quad), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CEN894

osa: 4519

MD8002

osa: 4491

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V,

CMXT2207 TR

osa: 102159

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MMDT2222A-TP

osa: 104799

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MMDT2222V-TP

osa: 4390

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MMDT3906V-TP

osa: 129596

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MMDT3904V-TP

osa: 126379

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MCH6534-TL-E

osa: 159503

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

FMBA06

osa: 107475

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

SMBT3946DW1T1G

osa: 189605

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

EMX1DXV6T5G

osa: 154108

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

MC1413DR2G

osa: 133189

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

HN1B04FE-Y,LF

osa: 124479

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

PMP4501Y,135

osa: 111077

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PBSS4160PANP,115

osa: 152172

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

PBSS4021SPN,115

osa: 155073

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7.5A, 6.3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 275mV @ 375mA, 7.5A / 350mV @ 325mA, 6.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 4A, 2V / 150 @ 4A, 2V,

PMP4501G,115

osa: 170571

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PEMZ7,315

osa: 110405

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V,

HCT700

osa: 3599

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V,

ULN2003APW

osa: 107723

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

ULN2004ANSR

osa: 193321

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

DMG204A00R

osa: 169926

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V,

JANTX2N2920L

osa: 4518

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

JANTXV2N2920U

osa: 4499

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

JAN2N3810L

osa: 2580

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

IMT1AT110

osa: 183335

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,