Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

ULN2003AN

osa: 91604

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

ULN2003BPWR

osa: 176178

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

ULN2004ADG4

osa: 179345

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

ULN2004AN

osa: 96439

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

MMDT5551-7

osa: 4384

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ZXTC2062E6TA

osa: 183922

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, 3.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V,

ZDT617TC

osa: 4586

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

MMDT4126-7

osa: 5660

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

ZDT751TA

osa: 129833

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

DSS4160FDB-7

osa: 104821

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

MMDT4146-7-F

osa: 143993

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

MMDT3906VC-7

osa: 126235

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ZDT1049TC

osa: 4486

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMDT3904VC-7

osa: 104531

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MD8003

osa: 4477

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V,

CMLT8099 TR

osa: 140118

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ULN2004AFWG,N,E

osa: 124168

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

MBT3904DW1T1H

osa: 101843

NSV60100DMTWTBG

osa: 119511

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

NSVT30010MXV6T1G

osa: 190882

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

SBC847CDXV6T1G

osa: 134785

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

NSV40301MDR2G

osa: 122484

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V,

JANTXV2N3810L

osa: 163

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JANTXV2N2920

osa: 1620

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V,

JANSR2N3810U

osa: 301

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

MMDT4403-TP

osa: 145891

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

MMDT3906-TP

osa: 128439

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PBSS5160DS,115

osa: 133335

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 770mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V,

PBSS4130PAN,115

osa: 150996

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V,

PMBT3906YS,115

osa: 133965

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PBSS4032SP,115

osa: 155040

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4.8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

PBSS4160DPN,115

osa: 171067

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 870mA, 770mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

SSM2220S

osa: 4512

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 36V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

STA457C

osa: 21682

Transistorin tyyppi: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V,

DMC204010R

osa: 101278

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

STS01DTP06

osa: 4435

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,