Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksitt&auml

DTC114EEBTL

osa: 130686

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DTC114TUBTL

osa: 185827

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

DTA114YEBTL

osa: 131557

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DTC115GKAT146

osa: 103060

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DTA115GKAT146

osa: 130570

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DTC015TEBTL

osa: 192625

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DTC143EEBTL

osa: 116768

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DTC143ZUBTL

osa: 140523

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DTA123JUBTL

osa: 118461

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DTB143ECT216

osa: 108871

Toivelistaan

DTC143TEBTL

osa: 104057

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

DTA114EEBTL

osa: 199791

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DTD123YCT116

osa: 163217

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Toivelistaan

MMUN2115LT1G

osa: 135405

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

FJY4011R

osa: 1891

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

MMUN2136LT1G

osa: 196001

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

MUN2214T1G

osa: 101929

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

MMUN2233LT1G

osa: 137186

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

MUN5231T1G

osa: 181946

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DTA114YET1G

osa: 187363

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

SMMUN2111LT1G

osa: 192773

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DTC143TET1G

osa: 127293

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

FJN4309RTA

osa: 193981

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

MMUN2217LT1G

osa: 119031

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

PDTA114YUF

osa: 172898

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC123EU,115

osa: 196761

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivelistaan

PDTA114ET,215

osa: 132687

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTA113EU,115

osa: 167465

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC115ET,215

osa: 136920

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTA124ET,235

osa: 123136

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC123JT,235

osa: 198821

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC144EU,135

osa: 151492

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan